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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu WX (Hu Wei-Xuan); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Su SJ (Su Shao-Jian); Wang QM (Wang Qi-Ming)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏少坚 ; 汪巍; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li W (Li Wei); Zhu NH (Zhu Ning-Hua); Wang LX (Wang Li-Xian); Liu JG (Liu Jian-Guo); Qi XQ (Qi Xiao-Qiong); Xie LA (Xie Liang); Li, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liwei05@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏少坚; 汪巍; 胡炜玄; 张广泽; 薛春来; 左玉华; 成步文; 王启明
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明
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| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明
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| 多级高精度微位移传感器探头 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王欣; 谢亮; 鞠昱; 刘宇; 漆晓琼; 孙可; 满江伟; 袁海庆; 祝宁华
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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