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具有背势垒的GaN基HEMT研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  彭恩超
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氮化镓  异质结  高电子迁移率晶体管  二维电子气  背势垒  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu, SQ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Jiang, LJ;  Feng, C;  Chen, H;  Yin, HB;  Yan, JD;  Peng, EC;  Kang, H;  Wang, ZG;  Hou, X
Adobe PDF(876Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：879/221  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu, SQ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Hou, X;  Wang, CM;  Jiang, LJ;  Feng, C;  Chen, H;  Yin, HB;  Peng, EC;  Kang, H;  Wang, ZG
Adobe PDF(1006Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：478/70  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan, JD;  Wang, XL;  Wang, Q;  Qu, SQ;  Xiao, HL;  Peng, EC;  Kang, H;  Wang, CM;  Feng, C;  Yin, HB;  Jiang, LJ;  Li, BQ;  Wang, ZG;  Hou, X
Adobe PDF(1281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：614/63  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, W;  Wang, XL;  Qu, SQ;  Wang, Q;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Peng, EC;  Hou, X;  Wang, ZG
Adobe PDF(786Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：527/113  |  提交时间：2015/03/25
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：690/98  |  提交时间：2014/10/31
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：718/94  |  提交时间：2014/10/24
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：598/87  |  提交时间：2014/12/25