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一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵谦;  潘教清;  周帆;  王宝军;  王圩
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基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教清;  赵谦;  王圩
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水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
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聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  梁松;  边静;  安心;  王伟;  周代兵
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异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  陈娓兮;  梁松;  边静;  安心;  王伟
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1289/246  |  提交时间：2011/08/31
量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  邵永波;  赵玲娟;  于红艳;  潘教青;  王宝军;  王圩
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一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
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倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1052/163  |  提交时间：2012/09/09
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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