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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Cai LE (Cai Li-E); Zhang BP (Zhang Bao-Ping); Hu XL (Hu Xiao-Long); Jiang F (Jiang Fang); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming); Zhang, JY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn; qmwang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang HL (Wang Hai-Li); Xiong YH (Xiong Yong-Hua); Huang SS (Huang She-Song); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); He ZH (He Zhen-Hong); Dou XM (Dou Xiu-Ming); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Wang, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui); Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 沈海波; 郭亨群; 王国立; 王加贤; 吴志军; 宋江婷; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 成步文 ; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋江婷; 郭亨群; 王加贤; 吴志军; 王国立; 沈海波; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王翠鸾; 韩淋; 吴芃; 刘媛媛; 李伟; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁宇
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| 紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鵫; 吴远大; 李建光; 王红杰; 安俊明; 胡雄伟
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