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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ye Wang; Meng-Lei Gao; Jin-Liang Wu; Xing-Wang Zhang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng XQ (Meng X. Q.); Jin P (Jin P.); Liang ZM (Liang Z. M.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhang ZY (Zhang Z. Y.); Meng, XQ, Wuhan Univ, Key Lab Artificial Micro & Nano Struct, Minist Educ, Wuhan 430072, Peoples R China. mengxq@whu.edu.cn
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 一种表征聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人: 孟军华; 张兴旺; 高红丽; 尹志岗; 吴金良
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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