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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: P. F. WANG ; G. Z. LUO ; H. Y. YU ; Y. J. LI ; M. Q. WANG ; X. L. ZHOU ; W. X. CHEN; Y. J. ZHANG ; , J. Q. PAN Adobe PDF(4486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2020/07/31 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wu Y; Zhou SY; Wang XY; Cao LX; Zhang XQ; Luo S; He YS; Barannik AA; Cherpak NT; Skresanov VN Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/334  |  提交时间:2011/07/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wu, Y; Zhou, SY; Wang, XY; Cao, LX; Zhang, XQ; Luo, S; He, YS; Barannik, AA; Cherpak, NT; Skresanov, VN; Wu, Y (reprint author), Univ Sci & Technol Beijing, Dept Phys, Beijing 100083, Peoples R China,sluo@sas.ustb.edu.cn Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:809/143  |  提交时间:2012/02/06 |
| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20 发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:670/102  |  提交时间:2014/10/24 |
| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:684/79  |  提交时间:2014/10/28 |
| 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛 Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:657/112  |  提交时间:2014/12/25 |
| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭 Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:480/30  |  提交时间:2016/09/28 |
| 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛 Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:478/6  |  提交时间:2016/09/28 |