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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang XW (Jiang Xiang-Wei);  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Wang LW (Wang Lin-Wang);  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
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宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
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AlGaN/GaN HEMT材料及微波功率器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  罗卫军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Q (Xu Qiang);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li JB (Li Jingbo);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Li, JB, Acad Sinica, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1228/386  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, JW (Luo, Jun-Wei);  Li, SS (Li, Shu-Shen);  Xia, JB (Xia, Jian-Bai);  Wang, LW (Wang, Lin-Wang);  Luo, JW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwwang@lbl.gov
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半导体纳米结构的电子结构计算 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  骆军委
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