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用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 　
发明人:  陆全勇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY (Lu, Quan-Yong);  Zhang W (Zhang, Wei);  Wang LJ (Wang, Li-Jun);  Liu JQ (Liu, Jun-Qi);  Li L (Li, Lu);  Liu FQ (Liu, Feng-Qi);  Wang ZG (Wang, Zhan-Guo);  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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