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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘俊岐;  翟慎强;  孔宁;  李路;  刘峰奇;  王利军;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu W;  Wang L;  Li L;  Liu J;  Liu FQ;  Wang Z;  Liu, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liuwanfeng@semi.ac.cn;  ljwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(398Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1342/358  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang W;  Wang L;  Li L;  Liu J;  Liu FQ;  Wang;  Z;  Zhang, W, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ljwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1617/602  |  提交时间：2010/04/28
太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  邵烨;  王占国
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一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邵烨;  刘峰奇;  刘俊歧;  李路
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GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李路;  邵烨;  郭瑜;  梁平;  胡颖;  孙虹
Adobe PDF(769Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1169/204  |  提交时间：2009/06/11
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910092876.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陆全勇;  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  刘峰奇;  王占国
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集成热敏电阻的金刚石热沉 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010034103.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张全德;  刘峰奇;  王利军;  张伟;  刘万峰;  陆全勇;  刘俊岐;  李路;  王占国
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