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大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235859.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  刘云飞;  解婧;  杨富华
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一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235870.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  解婧;  刘云飞;  杨富华
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一种超高真空多功能综合测试系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171385.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  刘云飞;  解婧;  杨富华
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