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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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自动搅拌滴料桶 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王俊;  吕卉;  李伟;  刘秀英;  张海艳;  赖剑雷;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XQ;  Liu, XL;  Han, XX;  Yuan, HR;  Wang, J;  Guo, Y;  Song, HP;  Zheng, GL;  Wei, HY;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, AL;  Wei, HY;  Liu, XL;  Song, HP;  Fan, HB;  Zhang, PF;  Zheng, GL;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, HY;  Meng, ZM;  Dai, QF;  Wu, LJ;  Guo, Q;  Hu, W;  Liu, SH;  Lan, S;  Yang, T;  Lan, S, S China Normal Univ, Sch Informat & Optoelect Sci & Technol, Lab Photon Informat Technol, Guangzhou 510006, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: slan@scnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Cai FF;  Sun GS;  Fan HB;  Zhang PF;  Wei HY;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbaoli@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kazanskii, AG;  Kong, GL;  Zeng, XB;  Hao, HY;  Liu, FZ;  Kazanskii, AG, Moscow MV Lomonosov State Univ, Dept Phys, Moscow 119991, Russia. 电子邮箱地址: kazanski@phys.msu.ru
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