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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HW;  Kan Q;  Wang CX;  Hu HY;  Xu XS;  Chen HD;  Liu, HW, Tianjin Polytech Univ, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300160, Peoples R China. liuhongwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈率;  王春霞;  刘宏伟;  阚强;  许兴胜;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  於丰;  许兴胜;  阚强;  王春霞;  刘宏伟;  陈弘达
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Novel photonic crystal structure GaN-based light-emitting diodes - art. no. 68410J 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Hu HY;  Lu L;  Du W;  Liu HW;  Kan Q;  Wang CX;  Xu XS;  Chen HD;  Hu, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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Gan  
一种制作纳米压印印章的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139179.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  刘宏伟;  阚强;  王春霞;  陈弘达
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一种利用光谱强度变化检测介质折射率变化的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139176.7, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  刘宏伟;  阚强;  王春霞;  陈弘达
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利用全反射角的改变进行传感的折射率传感方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240936.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  於丰;  阚强;  许兴胜;  王春霞;  刘宏伟;  陈弘达
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