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集成肋片式红外半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李 路;  王利军;  王占国
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单模量子级联激光器线阵列结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  高 瑜;  刘峰奇;  刘俊岐;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ;  Liu FQ;  Li L;  Wang LJ;  Wang ZG;  Liu JQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jqliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen T;  Hong T;  Pan JQ;  Chen WX;  Cheng YB;  Wang Y;  Ma XB;  Liu WL;  Zhao LJ;  Ran GZ;  Wang W;  Qin GG;  Chen T Peking Univ State Key Lab Mesoscop Phys Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: rangz@pku.edu.cn;  qingg@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY (Lu, Quan-Yong);  Zhang W (Zhang, Wei);  Wang LJ (Wang, Li-Jun);  Liu JQ (Liu, Jun-Qi);  Li L (Li, Lu);  Liu FQ (Liu, Feng-Qi);  Wang ZG (Wang, Zhan-Guo);  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Li L (Li Lu);  Wang LJ (Wang Lijun);  Liu JQ (Liu Junqi);  Zhang W (Zhang Wei);  Zhang QD (Zhang Quande);  Liu WF (Liu Wanfeng);  Lu QY (Lu Quanyong);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, JQ (Liu, J. Q.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Guo, X (Guo, X.);  Huang, K (Huang, K.);  Zhang, YM (Zhang, Y. M.);  Hu, XJ (Hu, X. J.);  Xu, Y (Xu, Y.);  Xu, K (Xu, K.);  Huang, XH (Huang, X. H.);  Yang, H (Yang, H.);  Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: kxu2006@sinano.ac.cn
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太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  邵烨;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, HB;  Zhao, LJ;  Pan, JQ;  Zhu, HL;  Zhou, F;  Wang, BJ;  Wang, W;  Liu, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbliu2005@semi.ac.cn
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Wavelength tunable distributed Bragg reflector laser integrated with electro-absorption modulator by a combined method of selective area growth and quantum well intermixing - art. no. 68240N 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:  Zhao LJ;  Zhang J;  Wang L;  Cheng YB;  Pan JQ;  Liu HB;  Zhu HL;  Zhou F;  Bian J;  Wang BJ;  Zhu NH;  Wei W;  Zhao, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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