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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ;  Qu SC;  Zeng XB;  Liu JP;  Zhang CS;  Shi MJ;  Tan FR;  Wang ZG;  Qu SC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ;  Qu SC;  Zeng XB;  Liu JP;  Zhang CS;  Tan FR;  Jin L;  Wang ZG;  Qu SC Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu P;  He Y;  Zhou JP;  Mu CH;  Zhang HW;  Liu P Shaanxi Normal Univ Sch Phys & Informat Technol Xian 710062 Peoples R China. E-mail Address: Liupeng@snnu.edu.cn;  Zhoujp@snnu.edu.cn;  hwzhang@uestc.edu.cn
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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具有光伏效应和电致发光双重功能的器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊朋;  曲胜春;  王占国
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具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊朋;  曲胜春;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Zhang, CS;  Shi, MJ;  Tan, FR;  Wang, ZG;  Liu, JP;  Hou, YB;  Teng, F;  Feng, ZH;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Liu, JP;  Zhang, CS;  Tan, FR;  Jin, L;  Wang, ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Guo, LC;  Li, JP;  Liu, HX;  Chen, YL;  Yang, FH;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
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