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Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Fang, CB;  Wang, XL;  Wang, JX;  Liu, C;  Wang, CM;  Hu, GX;  Li, JP;  Li, CJ;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Thermally Stimulated Current  Gallium Nitride  Defects  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Wang CM;  Hu GX;  Wang JX;  Ran JX;  Fang CB;  Li JP;  Zeng YP;  Li JM;  Liu XY;  Liu J;  Qian H;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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Recent progresses of SOI-based photonic devices - art. no. 60201R 会议论文
Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, NOV 07-10, 2005
作者:  Yu JZ;  Chen SW;  Li ZY;  Chen YY;  Sun F;  Li YT;  Li YP;  Liu JW;  Yang D;  Xia JS;  Li CB;  Wang QM;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Soi  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙安纳;  蔡新霞;  海秀兰;  崔莉;  柳端今;  刘铭;  宗士彪;  邵春波
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