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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [25]
作者
魏鸿源 [1]
文献类型
专利 [16]
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发表日期
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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期刊论文
作者:
Haichao Yu
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Kuankuan Ren
;
Qiang Wu
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Jian Wang
;
Jie Lin
;
Zhijie Wang
;
Jingjun Xu
;
Rupert F. Oulton
;
Shengchun Qu
;
Peng Jin
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding, K
;
Wang, CY
;
Zhang, BT
;
Zhang, Y
;
Guan, M
;
Cui, LJ
;
Zhang, YW
;
Zeng, YP
;
Lin, Z
;
Huang, F
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提交时间:2015/04/02
AlGaN/GaN HEMT 电力电子器件制备与性能研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
林德峰
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浏览/下载:1124/137
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提交时间:2013/06/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang F (Zhang Feng)
;
Sun GS (Sun Guosheng)
;
Huang HL (Huang Huolin)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wanshun)
;
Liu XF (Liu Xingfang)
;
Yan GG (Yan Guoguo)
;
Zheng L (Zheng Liu)
;
Dong L (Dong Lin)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
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提交时间:2012/02/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin DF (Lin D. F.)
;
Wang XL (Wang X. L.)
;
Xiao HL (Xiao H. L.)
;
Wang CM (Wang C. M.)
;
Qiang LJ (Qiang L. J.)
;
Feng C (Feng C.)
;
Chen H (Chen H.)
;
Hou QF (Hou Q. F.)
;
Deng QW (Deng Q. W.)
;
Bi Y (Bi Y.)
;
Kang H (Kang H.)
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提交时间:2012/02/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Feng
;
Sun, Guosheng
;
Huang, Huolin
;
Wu, Zhengyun
;
Wang, Lei
;
Zhao, Wanshun
;
Liu, Xingfang
;
Yan, Guoguo
;
Zheng, Liu
;
Dong, Lin
;
Zeng, Yiping
;
Zhang, F.(fzhang@semi.ac.cn)
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浏览/下载:1167/379
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin F
;
Huang XM
;
Qu SC
;
Fang ZY
;
Huang S
;
Song WT
;
Zhu X
;
Liu ZF
;
Lin, F, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. zhuxing@pku.edu.cn
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浏览/下载:1021/277
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin F (Lin Feng)
;
Fang ZY (Fang Zheyu)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Huang S (Huang Shan)
;
Song WT (Song Wentao)
;
Chi LF (Chi Lifeng)
;
Zhu X (Zhu Xing)
;
Chi, LF, Univ Munster, Inst Phys, D-48149 Munster, Germany
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浏览/下载:1170/251
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提交时间:2010/11/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin L (Lin L.)
;
Zhen HL (Zhen H. L.)
;
Li N (Li N.)
;
Lu W (Lu W.)
;
Weng QC (Weng Q. C.)
;
Xiong DY (Xiong D. Y.)
;
Liu FQ (Liu F. Q.)
;
Lu, W, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai Inst Tech Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luwei@mail.sitp.ac.cn
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浏览/下载:1142/284
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提交时间:2010/12/12
锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
陈晓锋
;
陈诺夫
;
吴金良
;
张秀兰
;
柴春林
;
俞育德
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提交时间:2011/08/31