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| 四端口微带传输线网络串扰测量装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张昀; 哈森其其格; 李亮; 祝宁华
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| 高均匀性(In)GaAsP/(AlGa)0.5In0.5P外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 仲莉; 马骁宇
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| 780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 仲莉; 马骁宇
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| 一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐云; 陈良惠; 李玉璋; 曹青; 宋国峰; 郭良
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉 ; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 王大拯; 王翠鸾; 仲莉; 韩淋; 崇峰; 史慧玲; 王冠; 胡理科; 刘素平; 马骁宇
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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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