|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪 ; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
 Adobe PDF(992Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1848/302 | 提交时间：2012/09/09 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(1092Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1561/306 | 提交时间：2012/09/09 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(458Kb) | 收藏 | 浏览/下载：685/100 | 提交时间：2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(393Kb) | 收藏 | 浏览/下载：727/115 | 提交时间：2014/10/31 |
| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(290Kb) | 收藏 | 浏览/下载：667/114 | 提交时间：2014/10/31 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏
Adobe PDF(565Kb) | 收藏 | 浏览/下载：566/75 | 提交时间：2014/10/29 |
| 压电陶瓷光电链路微波信号真延时调控装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 李明; 唐健; 邓晔; 祝宁华
Adobe PDF(256Kb) | 收藏 | 浏览/下载：482/8 | 提交时间：2016/09/28 |
