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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo MC;  Wang XL;  Li JM;  Liu HX;  Wang L;  Sun DZ;  Zeng YP;  Lin LY;  Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang CJ;  Zhu XP;  Li C;  Zuo YH;  Cheng BW;  Li DZ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Huang CJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙殿照;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧阳征标;  李景镇;  张道中;  王启明
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