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无权访问的条目 期刊论文
作者:  LI Zhi-Dong, XIAO Hong-Ling, WANG Xiao-Liang, WANG Cui-Mei, DENG Qing-Wen, JING Liang, DING Jie-Qin, WANG Zhan-Guo, HOU Xun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Chun Xiao;  Li, Xiao Qin;  Yang, Ting Ting;  Li, Rui Xue
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  王晓亮;  闫俊达;  李百泉;  王权;  肖红领;  冯春;  殷海波;  姜丽娟;  邱爱芹;  介芳
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