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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, JM;  Xu, FJ;  Zhang, X;  An, W;  Li, XZ;  Song, J;  Ge, WK;  Tian, GS;  Lu, J;  Wang, XQ;  Tang, N;  Yang, ZJ;  Li, W;  Wang, WY;  Jin, P;  Chen, YH;  Shen, B
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, L;  Sun, GS;  Zheng, L;  Liu, XF;  Zhang, F;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, XG;  Wang, ZG
Adobe PDF(654Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:902/260  |  提交时间:2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, L;  Sun, GS;  Zheng, L;  Liu, XF;  Zhang, F;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, XG;  Wang, ZG
Adobe PDF(189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1041/336  |  提交时间:2013/02/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Liu XF;  Wu HL;  Yan GG;  Dong L;  Zheng L;  Zhao WS;  Wang L;  Zeng YP;  Li XG;  Wang ZG;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. gshsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Yang T (Yang Ting);  Wu HL (Wu Hai-Lei);  Yan GG (Yan Guo-Guo);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Ning J (Ning Jin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li JM (Li Jin-Min)
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘兴昉;  刘斌;  闫果果;  刘胜北;  田丽欣;  申占伟;  王雷;  赵万顺;  张峰;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:553/0  |  提交时间:2016/09/28