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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, BQ;  Zhu, MF;  Liu, FZ;  Liu, JL;  Zhou, YQ;  Li, GH;  Ding, K;  Zhou, BQ, Inner Mongolia Normal Univ, Coll Phys & Elect Informat, Hohhot 010022, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhoubq@imnu.edu.cn
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