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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Xu;   Song, Pengbo;   Xing, Jie;   Chen, Zhong;   Li, Danyang;   Xu, Guangyuan;   Zhao, Xiaojun;   Ma, Fangyuan;   Rong, Dongke;   Shi, Youguo;   Islam, Md Rasidul;   Liu, Kong;   Huang, Yuan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Jian-Xia, Yang Shao-Yan, Wang Jun, Liu Gui-Peng, Li Zhi-Wei, Li Hui-Jie, Jin Dong-Dong, Liu Xiang-Lin, Zhu Qin-Sheng, Wang Zhan-Guo
Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：505/98  |  提交时间：2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, Dong-Dong;  Yang, Shao-Yan;  Zhang, Liu-Wan;  Li, Hui-jie;  Zhang, Heng;  Wang, Jian-xia;  Yang, Tao;  Xiang-LinLiu;  Zhu, Qin-Sheng;  Wang, Zhan-Guo
Adobe PDF(545Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：703/183  |  提交时间：2014/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao J (Zhao Jie);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Liu C (Liu Chao);  Cui LJ (Cui Lijie);  Li YB (Li Yanbo);  Zhao, J, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jiezhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(1068Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1153/306  |  提交时间：2010/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao J (Zhao Jie);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Liu C (Liu Chao);  Li YB (Li Yanbo);  Zhao, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiezhao_sub@163.com
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
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AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  李辉杰;  杨少延;  魏鸿源;  赵桂娟;  汪连山;  李成明;  刘祥林;  王占国
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p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25
发明人:  刘超;  张理嫩;  杨秋旻;  崔利杰;  曾一平
Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：748/98  |  提交时间：2014/11/17
一种三结叠层太阳能电池及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2015-04-22
发明人:  崔利杰;  刘超;  王晓东;  曾一平
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