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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR;  Xu B;  Wang HF;  Zhao GQ;  Shi SH;  Shen XZ;  Li JF;  Wang ZG;  Yang, XR, Handan Coll, Dept Phys & Elect Engn, Handan 056005, Peoples R China. yangxr1976@126.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Zhang HY;  Zhou GY;  Li TF;  Liu JQ;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Li TF;  Zhou GY;  Zhang HY;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  任芸芸;  徐波;  周惠英;  刘明;  李志刚;  王占国
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量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王志成;  徐波;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  石礼伟;  梁凌燕
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砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李若园;  徐波;  王占国
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提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李若园;  徐波;  王占国
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Li RY;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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