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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, JH (Zhu, J. H.);  Wang, LJ (Wang, L. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Wang, H (Wang, H.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S (Liang, S.);  Zhu HL (Zhu, H. L.);  Wang W (Wang, W.);  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王淑静;  裴为华;  张旭;  郭凯;  朱琳;  归强;  王宇;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡新宁;  王秋良;  崔春艳;  韩立;  谢亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏莱;  王守觉;  徐菲菲;  王睿智
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王翠鸾;  韩淋;  吴芃;  刘媛媛;  李伟;  冯小明;  王勇刚;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴芃;  刘媛媛;  王晓薇;  王翠鸾;  韩淋;  马骁宇;  刘素平
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带位置稳定结构的针状神经微电极 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈弘达;  朱琳;  张旭;  郭凯;  王淑静;  陈海峰
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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1225/186  |  提交时间:2009/06/11