|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
 Adobe PDF(734Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1052/142 | 提交时间：2009/06/11 |
| 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
Adobe PDF(635Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1058/157 | 提交时间：2009/06/11 |
| 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆
Adobe PDF(267Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1121/187 | 提交时间：2009/06/11 |
| 半导体材料电信号测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张砚华; 卢励吾; 葛惟昆
Adobe PDF(261Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1164/158 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种可见光通信控制系统及其实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235019.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 陈弘达; 张建昆; 陈雄斌 ; 朱琳; 刘博; 杨宇
Adobe PDF(361Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1294/249 | 提交时间：2011/08/30 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
Adobe PDF(941Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1410/342 | 提交时间：2012/09/07 |
| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华
Adobe PDF(547Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1390/343 | 提交时间：2012/09/07 |
| 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人: 李小明; 韩伟华; 张严波; 颜伟; 杜彦东; 陈燕坤; 杨富华
Adobe PDF(1354Kb) | 收藏 | 浏览/下载：822/91 | 提交时间：2014/10/24 |
| 生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 羊建坤; 魏同波; 霍自强; 张勇辉; 胡强; 段瑞飞; 王军喜
Adobe PDF(1673Kb) | 收藏 | 浏览/下载：781/50 | 提交时间：2014/10/31 |
| 栅压自举开关电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 马波; 袁凌; 曹晓东; 张强; 郝志坤; 石寅
Adobe PDF(493Kb) | 收藏 | 浏览/下载：991/125 | 提交时间：2014/10/24 |
