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| 集成肋片式红外半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12
发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 李 路; 王利军; 王占国
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| 单模量子级联激光器线阵列结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人: 高 瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu FQ (Liu Feng-Qi); Li L (Li Lu); Wang LJ (Wang Lijun); Liu JQ (Liu Junqi); Zhang W (Zhang Wei); Zhang QD (Zhang Quande); Liu WF (Liu Wanfeng); Lu QY (Lu Quanyong); Wang ZG (Wang Zhanguo); Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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| 太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李路 ; 刘峰奇; 刘俊岐; 邵烨; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li Lu; Shao Ye; Liu Junqi; Liu Fengqi; Wang Zhanguo
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| 单模量子级联激光器的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国
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| 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 李成明; 刘俊岐; 王占国
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| 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 王春华; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘峰奇; 郭瑜; 李路; 邵晔; 刘俊岐; 路秀真; 王占国
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| 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 王占国
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