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| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 何金孝; 段 尭; 曾一平; 王晓峰
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| 在蓝宝石上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 何金孝; 段 尭; 曾一平; 李晋闽; 王晓峰
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| 一种基于多晶镓砷薄膜的有机无机复合太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 关 敏; 秦大山; 曹峻松; 曹国华; 曾一平; 李晋闽
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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉 ; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Wei HY; Liu XL; Wang J; Lv XQ; Jin P; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang ZM; Jin C; Jin P; Wu J; Wang ZG; Liang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lzhm4321@red.semi.ac.cn
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