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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
半导体集成技术工程... [14]
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专利 [11]
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2021 [1]
2012 [1]
2011 [1]
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英语 [1]
出处
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专题:半导体集成技术工程研究中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu, Li-Bin
;
Huang, Xin-Yu
;
Zhang, Shan
;
Chen, Xue
;
Dong, Xian-Hui
;
Jin, He
;
Jiang, Zhen-Yu
;
Gong, Xiao-Ran
;
Xie, Yi-Xuan
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Li, Chen
;
Chi, Zong-Tao
;
Xie, Wan-Feng
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提交时间:2022/05/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du, YD
;
Han, WH
;
Yan, W
;
Xu, XN
;
Zhang, YB
;
Wang, XD
;
Yang, FH
;
Cao, HZ
;
Jin, F
;
Dong, XZ
;
Zhao, ZS
;
Duan, XM
;
Liu, Y
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du, Y.D.
;
Cao, H.Z.
;
Yan, W.
;
Han, W.H.
;
Liu, Y.
;
Dong, X.Z.
;
Zhang, Y.B.
;
Jin, F.
;
Zhao, Z.S.
;
Yang, F.H.
;
Duan, X.M.
;
Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
一种挡光式微机电可变光衰减器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
毛旭
;
吕兴东
;
魏伟伟
;
杨晋玲
;
杨富华
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浏览/下载:698/85
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提交时间:2014/11/05
阵列型微机电可变光衰减器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
毛旭
;
吕兴东
;
魏伟伟
;
杨晋玲
;
杨富华
Adobe PDF(1633Kb)
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浏览/下载:848/50
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提交时间:2014/11/05
基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
司朝伟
;
韩国威
;
宁瑾
;
刘晓东
Adobe PDF(414Kb)
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浏览/下载:630/95
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提交时间:2014/10/31
采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
司朝伟
;
韩国威
;
宁瑾
;
刘晓东
Adobe PDF(349Kb)
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浏览/下载:602/115
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提交时间:2014/10/31
一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
毛旭
;
魏伟伟
;
吕兴东
;
杨晋玲
;
杨富华
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浏览/下载:792/76
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提交时间:2014/11/05
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
王进泽
;
杨香
;
颜伟
;
刘胜北
;
赵继聪
;
何志
;
王晓东
;
杨富华
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浏览/下载:612/1
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提交时间:2016/08/30
一种制备图形化多孔硅结构的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:
赵永梅
;
杨香
;
季安
;
张明亮
;
韩国威
;
宁瑾
;
王晓东
;
杨富华
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浏览/下载:727/92
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提交时间:2014/11/05