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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期:  
发明人:  姜丽娟
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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  姜丽娟
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制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2042/447  |  提交时间:2012/08/29