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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan XT; Zheng HZ; Liu J ; Zhu H; Xu P; Li GR; Yang FH; Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun XM; Zhang H; Zhu H; Xu P; Li GR; Liu J; Zheng HZ; Sun XM Chinese Acad Sci State Key Lab Microstruct & Superlattices Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵暕; 陈涌海; 王占国; 徐波
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu Q (Xu Qiang); Luo JW (Luo Jun-Wei); Li SS (Li Shu-Shen); Xia JB (Xia Jian-Bai); Li JB (Li Jingbo); Wei SH (Wei Su-Huai); Li, JB, Acad Sinica, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 高建霞; 宋国峰; 甘巧强; 徐云; 郭宝山; 陈良惠
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| 能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐嘉东; 李建明; 杨占坤
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| 使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李建明; 种明; 徐嘉东; 刘海涛; 边莉; 迟迅; 翟永辉
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| 改进砷化镓晶片表面质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李建明; 徐嘉东
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu SJ; Xiong SJ; Liu J; Zheng HZ; Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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