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| 6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 徐健凯 Adobe PDF(19736Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:405/5  |  提交时间:2021/06/22 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 赵暕; 陈涌海; 王占国; 徐波 Adobe PDF(1920Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:870/229  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 高建霞; 宋国峰; 甘巧强; 徐云; 郭宝山; 陈良惠 Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1015/275  |  提交时间:2010/11/23 |
| 能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐嘉东; 李建明; 杨占坤 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 种明; 徐嘉东; 刘海涛; 边莉; 迟迅; 翟永辉 Adobe PDF(490Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1081/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改进砷化镓晶片表面质量的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 徐嘉东 Adobe PDF(250Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1113/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林 Adobe PDF(425Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1288/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制造半导体双极器件的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐嘉东; 李建明; 张秀兰 Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1026/146  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 宋国峰; 甘巧强; 瞿欣; 方培源; 高建霞; 曹青; 徐军; 康香宁; 徐云; 钟源; 杨国华; 陈良惠 Adobe PDF(387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1103/250  |  提交时间:2010/11/23 |
| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1197/182  |  提交时间:2009/06/11 |