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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Su Shao-Jian; Zhang Dong-Liang; Zhang Guang-Ze; Xue Chun-Lai; Cheng Bu-Wen; Wang Qi-Ming
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 苏少坚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Su SJ (Su Shao-Jian); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Zhang DL (Zhang Dong-Liang); Zhang GZ (Zhang Guang-Ze); Wang QM (Wang Qi-Ming)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu WX (Hu Wei-Xuan); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Su SJ (Su Shao-Jian); Wang QM (Wang Qi-Ming)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zeng C (Zeng Chang); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Ji L (Ji Lian); Wang HB (Wang Huai-Bing); Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Cao Q (Cao Qing); Chong M (Chong Ming); Duan LH (Duan Li-Hong); Wang H (Wang Hai); Shi YS (Shi Yong-Sheng); Liu SY (Liu Su-Ying); Yang H (Yang Hui); Chen LH (Chen Liang-Hui); Zeng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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