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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Yan;  Wu, Lihua;  Han, Xiaowei;  Li, Ming;  Liu, Guizhai;  Zhang, Feng;  Guo, Xufeng;  Zhao, Kai;  Stanley, L. Chen;  Yu, Fang;  Liu, Zhongli;  Li, Yan;  Zhang, Qianli;  Chen, Liang;  Zhang, Guoquan;  Li, Jianzhong;  Yang, Bo;  Gao, Jiantou;  Wang, Jian
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, Xiaowei;  Wu, Lihua;  Zhao, Yan;  Li, Yan;  Zhang, Qianli;  Chen, Liang;  Zhang, Guoquan;  Li, Jianzhong;  Yang, Bo;  Gao, Jiantou;  Wang, Jian;  Li, Ming;  Liu, Guizhai;  Zhang, Feng;  Guo, Xufeng;  Stanley, L. Chen;  Liu, Zhongli;  Yu, Fang;  Zhao, Kai;  Han, X.(xiaowei@semi.ac.cn)
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相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马慧莉;  王晓峰;  张加勇;  程凯芳;  王晓东;  季安;  杨富华
Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1503/248  |  提交时间：2011/08/31
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：761/86  |  提交时间：2014/10/29
与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  季安;  杨富华
Adobe PDF(767Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：561/96  |  提交时间：2014/10/31
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
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沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
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一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  付英春;  王晓峰;  季安;  杨富华
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应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091406.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  张加勇;  王晓东;  季安;  杨富华
Adobe PDF(754Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1101/195  |  提交时间：2011/08/31
一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  张加勇;  王晓东;  季安;  杨富华
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