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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kuankuan Ren;   Jian Wang;   Shaoqiang Chen;   Qingxin Yang;   Jiao Tian;   Haichao Yu;   Mingfei Sun;   Xiaojun Zhu;   Shizhong Yue;   Yang Sun;   Kong Liu;   Muhammad Azam;   Zhijie Wang;   Peng Jin;   Shengchun Qu;   Zhanguo Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hong T (Hong Tao);  Ran GZ (Ran Guang-Zhao);  Chen T (Chen Ting);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Chen WX (Chen Wei-Xi);  Wang Y (Wang Yang);  Cheng YB (Cheng Yuan-Bing);  Liang S (Liang Song);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Yin LQ (Yin Lu-Qiao);  Zhang JH (Zhang Jian-Hua);  Wang W (Wang Wei);  Qin GG (Qin Guo-Gang);  Hong, T, Peking Univ, State Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail Address: qingg@pku.edu.cn
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：635/1  |  提交时间：2016/09/12