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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ji HM (Ji Hai-Ming); Yang T (Yang Tao); Cao YL (Cao Yu-Lian); Xu PF (Xu Peng-Fei); Gu YX (Gu Yong-Xian); Liu Y (Liu Yu); Xie L (Xie Liang); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu PF (Xu Peng-Fei); Yang T (Yang Tao); Ji HM (Ji Hai-Ming); Cao YL (Cao Yu-Lian); Gu; YX (Gu Yong-Xian); Liu Y (Liu Yu); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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| 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078560.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 石明吉; 曾湘波; 王占国; 刘石勇; 彭文博; 肖海波; 张长沙
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| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
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| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛
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| 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 余力强; 梁松; 赵玲娟; 张灿; 吉晨
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| 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 梁松; 张灿; 于立强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 王圩
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| 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 余力强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 陆丹; 潘教青; 王圩
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| 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 罗帅; 季海铭; 杨涛
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