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无权访问的条目 学位论文
作者:  陈泽基
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无权访问的条目 学位论文
作者:  赵继聪
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相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马慧莉;  王晓峰;  张加勇;  程凯芳;  王晓东;  季安;  杨富华
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通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
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与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  季安;  杨富华
Adobe PDF(767Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:561/96  |  提交时间:2014/10/31
一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  黄亚军;  樊中朝;  王莉;  季安
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通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
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沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
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一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  付英春;  王晓峰;  季安;  杨富华
Adobe PDF(1522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:570/66  |  提交时间:2014/12/25
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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