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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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| 一种化学气相淀积外延设备用的进气装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920222264.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱建军; 王海; 史永生
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| 具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱继红; 张书明; 朱建军
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| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉
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| 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
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| 一种紫外红外双色探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183403.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 王辉; 江德生; 杨辉
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| GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
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| 一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王辉; 朱建军; 张书明; 杨辉
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| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉
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