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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu QA; Wei TB ; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu Q; Wei TB; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu Q Sichuan Univ Minist Educ Dept Phys Chengdu 610064 Peoples R China. E-mail Address: lutiecheng@scu.edu.cn; ypzeng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wei XC; Huo ZQ; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Duan RF; Wang JX; Li JM; Huo ZQ; Zeng YP; Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Duan RF; Wang JX; Li JM; Huo ZQ; Ma P; Liu Z; Zeng YP; Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB; Duan RF; Wang JX; Li JM; Huo ZQ; Ma P; Liu Z; Zeng YP; Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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