|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
 Adobe PDF(462Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1377/173 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种紫外红外双色探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183403.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 王辉; 江德生; 杨辉
Adobe PDF(841Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1033/117 | 提交时间：2011/08/30 |
| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
Adobe PDF(375Kb) | 收藏 | 浏览/下载：647/101 | 提交时间：2014/11/05 |
| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉
Adobe PDF(439Kb) | 收藏 | 浏览/下载：702/87 | 提交时间：2014/10/31 |
| 一种利用非偏振光调控自旋极化电子的系统及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 马惠; 陈涌海; 蒋崇云; 刘雨
Adobe PDF(710Kb) | 收藏 | 浏览/下载：679/90 | 提交时间：2014/11/17 |
| 改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 吴亮亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 李亮; 乐伶聪; 杨辉
Adobe PDF(477Kb) | 收藏 | 浏览/下载：614/104 | 提交时间：2014/11/24 |
| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
Adobe PDF(330Kb) | 收藏 | 浏览/下载：636/88 | 提交时间：2014/11/24 |
| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
Adobe PDF(563Kb) | 收藏 | 浏览/下载：743/93 | 提交时间：2014/12/25 |
| 氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 杨辉
Adobe PDF(818Kb) | 收藏 | 浏览/下载：448/0 | 提交时间：2016/09/28 |
| 具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 陈平; 赵德刚; 朱建军; 刘宗顺; 江德生; 杨辉
Adobe PDF(665Kb) | 收藏 | 浏览/下载：488/2 | 提交时间：2016/09/28 |
