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InGaN/GaN LED载流子泄漏的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  黄洋
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无权访问的条目 学位论文
作者:  黄宇亮
Adobe PDF(3699Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：600/121  |  提交时间：2016/06/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, WB;  Wang, GL;  Gao, FQ;  Qiao, ZT;  Wang, G;  Chen, MJ;  Deng, Y;  Tao, L;  Zhao, Y;  Fan, XK;  Sun, LF
Adobe PDF(874Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：615/84  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren, MK;  Huang, H;  Wu, HB;  Zhao, DN;  Zhu, HC;  Liu, Y;  Sun, BJ
Adobe PDF(1777Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：403/60  |  提交时间：2015/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, XK;  Tao, L;  Deng, Y;  Wang, G;  Zhang, J;  Zhao, Y;  Huang, WB;  Zhao, HY;  Sun, LF
Adobe PDF(444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：701/150  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄亚军;  刘志强;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜;  李晋闽
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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
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GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  黄亚军;  王莉;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕
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蓝宝石图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:  段瑞飞;  季安;  伊晓燕;  王莉;  樊中朝;  郭金霞;  潘岭峰;  黄亚军;  赵冀;  李镇
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一种空气中稳定的钙钛矿薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  黄芳;  袁国栋;  李晋闽
Adobe PDF(670Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：409/3  |  提交时间：2016/09/28