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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. L. HU;  L. B. SUN;  BEIBEI ZENG;  L. S. WANG;  Z. G. YU;  S. A. BAI;  S. M. YANG;  L. X. ZHAO;  Q. LI;  M. QIU;  R. Z. TAI;  H. J. FECHT;  J. Z. JIANG;  D. X. ZHANG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.);  Wang JX (Wang J. X.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang GH (Wang G. H.);  Li JM (Li J. M.);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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MOCVD设备的石墨托盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  纪攀峰;  孔庆峰;  王文军;  胡强;  马平;  曾一平;  王军喜;  李晋闽
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截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  王文军;  李晋闽;  王军喜;  马平;  纪攀峰;  郭金霞;  孔庆峰;  胡强
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用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人:  纪攀峰;  马平;  王军喜;  胡强;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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优化配置的多腔室MOCVD反应系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-05
发明人:  纪攀峰;  马平;  王军喜;  胡强;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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一种双加热气相外延生长系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人:  胡强;  魏同波;  羊建坤;  霍自强;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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用于金属有机气相沉积设备的进气喷头 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  冉军学;  胡强;  梁勇;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  冉军学;  胡强;  胡国新;  梁勇;  熊衍凯;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人:  冉军学;  胡强;  胡国新;  梁勇;  熊衍凯;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(426Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:610/69  |  提交时间:2014/12/25