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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SB (Zhang Sh B.);  Cui QJ (Cui Q. J.);  Xiong B (Xiong B.);  Guo L (Guo L.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Zhang, SB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Light Sources, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: shbzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun L (Sun L.);  Zhang L (Zhang L.);  Yu HJ (Yu H. J.);  Guo L (Guo L.);  Ma JL (Ma J. L.);  Zhang J (Zhang J.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Laser Sources, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunlu2446@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L (Zhang L.);  Guo L (Guo L.);  Xiong B (Xiong B.);  Yan X (Yan X.);  Sun L (Sun L.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵伟芳;  侯玮;  李港;  林学春;  李晋闽
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