SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共22条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  杨国华;  任刚;  陈良惠
Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1127/199  |  提交时间:2009/06/11
铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1233/173  |  提交时间:2009/06/11
低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:952/140  |  提交时间:2009/06/11
硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1379/248  |  提交时间:2012/09/09
磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1370/267  |  提交时间:2011/08/31
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
Adobe PDF(878Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:560/4  |  提交时间:2016/09/12
一种双色量子阱红外光探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人:  宋国峰;  许斌宗;  刘杰涛;  胡海峰;  韦欣;  王青;  徐云
Adobe PDF(1394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:800/73  |  提交时间:2014/11/17
高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:  王涛;  刘俊岐;  刘峰奇;  张锦川;  王利军;  王占国
Adobe PDF(994Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:556/66  |  提交时间:2014/11/05
周期阵列的局域等离子体共振传感器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  宋国峰;  刘杰涛;  许斌宗;  胡海峰;  王立娜
Adobe PDF(1050Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:869/93  |  提交时间:2014/12/25
具有宽度周期性渐变表面的全息光栅制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人:  宋国峰;  王立娜;  胡海峰;  张晶;  徐云;  刘运涛
Adobe PDF(768Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:939/113  |  提交时间:2014/11/17