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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Man JW (Man Jiang Wei);  Zhang HG (Zhang Hong Guang);  Ke JH (Ke Jian Hong);  Han W (Han Wei);  Chen W (Chen Wei);  Liu Y (Liu Yu);  Wang X (Wang Xin);  Yuan HQ (Yuan Hai Qing);  Xie L (Xie Liang);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ke JH (Ke Jian Hong);  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Zhang HG (Zhang Hong Guang);  Man JW (Man Jiang Wei);  Zhao LJ (Zhao Ling Juan);  Chen W (Chen Wei);  Wang X (Wang Xin);  Liu Y (Liu Yu);  Yuan HQ (Yuan Hai Qing);  Xie L (Xie Liang);  Wang W (Wang Wei);  Zhu, NH, CAS, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周晓光;  任鲁风;  李运涛;  张猛;  俞育德;  于军
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
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