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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [4]
作者
江德生 [1]
王治国 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2006 [1]
2000 [1]
1998 [2]
语种
英语 [4]
出处
1998 5TH I... [2]
COMPOUND S... [1]
MATERIALS ... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
CPCI(ISTP) [1]
资助机构
Chinese In... [2]
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Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Gong, QC (Gong, Q. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
4h-sic
Photovoltage and luminescence study of stacked InAs/GaAs self-organized quantum dots
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999, (166), BERLIN, GERMANY, AUG 22-26, 1999
作者:
Jiang DS
;
Gong Q
;
Chen YB
;
Sun BQ
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1099/188
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提交时间:2010/11/15
Room-temperature continuous-wave lasing from InAs GaAs quantum dot laser grown by molecular beam epitaxy
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Gong Q
;
Liang JB
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Gong Q Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Threshold
Operation
Layer
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
;
Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Coherent Islands
Gaas
Growth
Dots
Dislocations
Temperature
Mechanisms
Si(001)
Ingaas