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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
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浏览/下载:1112/183
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提交时间:2009/06/11
提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
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浏览/下载:1181/179
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gong J
;
Liang XX
;
Ban SL
;
Gong, J, Inner Mongolia Univ, Coll Sci & Technol, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: ndgong@imu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
具有大绝对带隙的二维光子晶体
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
龚春娟
;
胡雄伟
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浏览/下载:840/114
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提交时间:2009/06/11
正方晶格二维光子晶体
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
龚春娟
;
胡雄伟
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浏览/下载:820/140
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提交时间:2009/06/11
背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
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浏览/下载:1077/155
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提交时间:2009/06/11
提高铝镓氮材料质量的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao FQ (Zhao Feng-Qi)
;
Gong J (Gong Jian)
;
Zhao, FQ, Inner Mongolia Normal Univ, Coll Phys & Elect Informat, Hohhot 010022, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqzhao@imnu.edu.cn
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浏览/下载:613/138
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gong, J (Gong, Jain)
;
Yang, FH (Yang, Fu-Hua)
;
Feng, SL (Feng, Song-Lin)
;
Gong, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ndgong@imu.edu.cn
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浏览/下载:540/150
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gong J
;
Liang XX
;
Ban SL
;
Gong, J, Inner Mongolia Univ, Coll Sci & Technol, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: gongjian@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29