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具有大绝对带隙的二维光子晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  龚春娟;  胡雄伟
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正方晶格二维光子晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  龚春娟;  胡雄伟
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背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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提高铝镓氮材料质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1150/177  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FQ (Zhao Feng-Qi);  Gong J (Gong Jian);  Zhao, FQ, Inner Mongolia Normal Univ, Coll Phys & Elect Informat, Hohhot 010022, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqzhao@imnu.edu.cn
Adobe PDF(243Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：613/138  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong, J (Gong, Jain);  Yang, FH (Yang, Fu-Hua);  Feng, SL (Feng, Song-Lin);  Gong, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ndgong@imu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong J;  Liang XX;  Ban SL;  Gong, J, Inner Mongolia Univ, Coll Sci & Technol, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: gongjian@red.semi.ac.cn
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低维半导体异质结构中电子隧穿的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  宫箭
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  龚春娟;  胡雄伟
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：672/194  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  高玉竹;  龚秀英;  陈涌海;  吴俊
Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：755/264  |  提交时间：2010/11/23