中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Denggui Wang;   Junhua Meng;   Xingwang Zhang;   Gencai Guo;   Zhigang Yin;   Heng Liu;   Likun Cheng;   Menglei Gao;   Jingbi You;   Ruzhi Wang
Adobe PDF(6535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2019/11/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Denggui Wang;   Xingwang Zhang;   Gencai Guo;   Shihan Gao;   Xingxing Li;   Junhua Meng;  Zhigang Yin;   Heng Liu;   Menglei Gao;   Likun Cheng;   Jingbi You;   Ruzhi Wang
Adobe PDF(1496Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2019/11/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Y;  Liu, Y;  Jiang, CY;  Zhu, LP;  Qin, XD;  Gao, HS;  Ma, WQ;  Guo, XL;  Zhang, YH;  Chen, YH
Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：465/116  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Tianfeng;  Gao, Lizhen;  Lei, Wen;  Guo, Lijun;  Yang, Tao;  Chen, Yonghai;  Wang, Zhanguo
Adobe PDF(451Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：989/266  |  提交时间：2013/09/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tianfeng Li, Lizhen Gao, Wen Lei, Lijun Guo, Huayong Pan, Tao Yang, Yonghai Chen, Zhanguo Wang
Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：328/113  |  提交时间：2014/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Y (Guo Yan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Song HP (Song Hua-Ping);  Yang AL (Yang An-Li);  Zheng GL (Zheng Gao-Lin);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(536Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1465/374  |  提交时间：2010/07/05
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1234/206  |  提交时间：2011/08/31
锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  张全德;  陆全勇;  高瑜;  刘峰奇;  王占国
Adobe PDF(1061Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1296/221  |  提交时间：2011/08/31
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1273/262  |  提交时间：2011/08/31
在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  陈涌海;  刘建庆;  高云;  徐波;  张兴旺;  王占国
Adobe PDF(1860Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1054/34  |  提交时间：2011/08/31