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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou, Q;  Belle, BD;  Zhang, LZ;  Xiao, WD;  Yang, K;  Liu, LW;  Wang, GQ;  Fei, XM;  Huang, Y;  Ma, RS;  Lu, Y;  Tan, PH;  Guo, HM;  Du, SX;  Gao, HJ
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Q;  Du, SX;  Zhang, YY;  Jiang, N;  Shi, DX;  Gao, HJ
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hujin (Hujin);  Yang, GW (Yang, Guowei);  Wang, SJ (Wang, Shoujue);  Gao, XH (Gao, Xuhui);  Hujin, Qingdao Univ, Inst Pattern Recognit & Intelligent Syst, Qingdao 266071, Peoples R China. 电子邮箱地址: hj.yt@163.com;  ygw_ustb@163.com;  wsjue@red.semi.ac.cn
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1416/412  |  提交时间：2010/03/29
Porous Silicon  
An integrated optical receiver in MS/RF CMOS process 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Liu HJ (Liu Haijun);  Xu XS (Xu Xingsheng);  Mao LH (Mao Luhong);  Gao P (Gao Peng);  Chen HD (Chen Hongda);  Liu, HJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Amplifier  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM;  Li J;  Xia JL;  Gao DS;  Wu YD;  Li JG;  Wang HJ;  Hu XW;  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: junming@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XY;  Zhou ZP;  Tan PH;  Song L;  Liu LF;  Zhao XW;  Luo SD;  Yan XQ;  Liu DF;  Wang JX;  Gao Y;  Zhang ZX;  Yuan HJ;  Zhou WY;  Xie SS;  Xie, SS, Chinese Acad Sci, Ctr Condensed Matter Phys, Inst Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: xydou@aphy.iphy.ac.cn;  ssxie@aphy.iphy.ac.cn
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A silicon light emitting devices in standard CMOS technology 会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:  Chen HD;  Sun ZH;  Liu HJ;  Gao P;  Chen, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(171Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1176/279  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang XJ;  Lin SM;  Liao QW;  Cheng P;  Gao JH;  Liu SA;  Wang HJ;  Zhang CH;  Wang QM;  Du GT;  Liu Y;  Li XM;  Kang XJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Kang XJ;  Lin SM;  Liao QW;  Gao JH;  Liu SA;  Cheng P;  Wang HJ;  Zhang CH;  Wang QM;  Kang XJ Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Photodetector  Oxidation  Materials Growth